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Diodes新(xīn)型(xíng)MOSFET晶片高度減少(shǎo)50%


格雷創科(kē)技 / 2012-05-06
2013-5-17-->

Diodes 公司(sī)近日推出了(le)一(yī)係列(liè)採用(yòng)薄型(xíng)DFN2020-6封裝的高效(xiào)率N通道和P通道MOSFET。採用DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4,離板高度隻有0.4mm,麵積隻有(yǒu)4mm2,是一(yī)款額定電壓為 -25V的(de)P通道元(yuán)件(jiàn),較同(tóng)類型元件薄50%。同係列的另一款採用DFN2020E封裝的(de)MOSFET具有0.5mm離板(bǎn)高度,較其他一般離板(bǎn)高度為0.6mm的(de)MOSFET薄20%。

DMP2039UFDE4針對負載開(kāi)關應用(yòng),為電路設計人員提供(gōng)3kV的電路保護,以免被人體所發(fā)出(chū)的靜電放電所影響。這些最新推出(chū)的(de)MOSFET擁有低(dī)典(diǎn)型RDS(on) 的特性,例(lì)如 -12V P通道的(de)DMP1022UFDE,在4.5V的VGS下隻有13mΩ,把(bǎ)電池充電應用的損耗減至最少(shǎo)。

20V N通道的DMN2013UFDE在DC/DC降壓和升壓轉(zhuǎn)換器內,達到(dào)理想的負載開關或者(zhě)高速開(kāi)關,並且(qiě)提供一(yī)個2kV高靜電放電保(bǎo)護額定。DMN6040UFDE將會是首批採用(yòng)DFN2020封裝的高(gāo)電壓MOSFET之一,可在(zài)60V的VDS 下運(yùn)作,並適合小型化(huà)(Small form-factor)工業(yè)及熱通風與空氣調節係統 (HVAC) 控製使用。

新產(chǎn)品特別適合薄型(xíng)可(kě)攜式產品(pǐn)設計,例如智(zhì)慧(huì)型手機(jī)、平(píng)板(bǎn)電腦和(hé)數(shù)位照(zhào)相機(jī)。九(jiǔ)款MOSFET的首批係列(liè)包括-12V、-20V、-25V、-40V的(de)P通道MOSFET和12V、20V及(jí)60V的(de) N通道MOSFET。

Diodes簡介

Diodes Incorporated為標普小型(xíng)股600指數(shù) (S&P SmallCap 600 Index) 及羅素3000指數公(gōng)司,活躍於全球(qiú)離散、邏輯及類比半導體市(shì)場,致力製造(zào)及(jí)供(gōng)應優質的(de)特殊應用標準產品(pǐn),服務(wù)消費性電子、電腦、通訊、工業(yè)及汽車等不(bù)同(tóng)市場。Diodes的產品包(bāo)括二(èr)極管(guǎn)、整流器、電晶體(tǐ)、MOSFET、保(bǎo)護設備、特殊功(gōng)能陣列、單閘邏輯、放大(dà)器和(hé)比較器、霍爾效應及溫度應傳(chuán)感器,以及涵蓋LED驅動器、直(zhí)流-直(zhí)流切換和(hé)線性穩壓器、電壓參考(kǎo)的功(gōng)率管(guǎn)理元件(jiàn),以(yǐ)至USB電源(yuán)開(kāi)關、負載開關、電壓監控(kòng)程式(shì)及馬達控(kòng)製器等特殊功能元件。

Diodes公司總部、物(wù)流辦事(shì)處及(jí)美國業務辦事(shì)處位(wèi)於美國德州(zhōu)普萊諾市(shì),在普萊諾、聖荷西(xī)、台(tái)北(běi)、英(yīng)國(guó)和(hé)德國設有設計、行銷及研(yán)發(fā)中心(xīn);在密蘇裏州坎薩斯城及(jí)英(yīng)國(guó)曼徹斯特設有(yǒu)晶圓製造廠;在上海設有兩所製造廠、在(zài)德國諾伊豪斯設有一(yī)所(suǒ),另於成都設有合(hé)資廠房;在(zài)台(tái)北、香港及(jí)曼徹斯特設有(yǒu)研發、業(yè)務、倉庫及(jí)物流辦事(shì)處;並在世(shì)界各(gè)地設有業(yè)務與支援辦事處。

有關進一步(bù)的詳盡資訊,包括美國證監會(huì)存檔,可瀏覽該公(gōng)司網站。 
 

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